Qualcomm yaptığı açıklamada Samsung Electronics ile işbirliği yaparak en son üst seviye işlemcisi Qualcomm Snapdragon 835’te Samsung’un 10-nanometer (nm) FinFET işlem teknolojisini kullanacağını duyurdu.
Samsung Ekim ayında, endüstride ilk kez 10nm FinFET teknolojisinde toplu üretime geçeceklerini açıklamıştı. Selefi 14nm FinFET ile kıyaslandığında, Samsung’un 10nm teknolojisi alan verimliliğini yüzde 30’a, performansı ise yüzde 27’e varan oranda arttırırken güç tüketimini ise yüzde 40’a varan oranda azaltıyor. 10nm FinFET teknolojisini kullanacak Snapdragon 835 işlemci, çip için daha küçük alana ihtiyaç duyacak, böylece OEM’lerin yeni ürünlerinde daha büyük piller veya daha ince tasarımlar kullanmasına imkan verecek. Ayrıca işlem teknolojisindeki geliştirmelerin gelişmiş çip tasarımları ile bir araya gelmesi nedeniyle pillerin ömrünün oldukça uzaması da bekleniyor.
Samsung Başkan Vekili Jong Shik Yoon ise açıklamasında şunları söyledi: “Snapdragon 835 üretiminde 10nm FinFET teknolojimizi kullanacak olan Qualcomm Technologies ile yakın işbirliği yapma fırsatı bulduğumuz için mutluyuz. Samsung’un çip işlem teknolojisindeki liderliğine güveni de yansıtan bu işbirliği bir kilometre taşı niteliğinde.”
Snapdragon 820/21 işlemcinin halefi olacak Snapdragon 835 şu an üretim aşamasında. Yeni işlemcisinin ilk sevkiyatının 2017 yılının ilk yarısında başlaması bekleniyor.
